حسن محمد عبد الحميد
خلاصة
تم فى هذه الدراسة تحضير
شريحة رقيقة من مادة الكوجانيت لنظام ثنائى من البزموث سيلنيوم بطريقة
التبخير الإلكترونى تحت ضغط منخفض جدا. بعد التحضير، تم إجراء اختبار للطبيعة
التركيبية للشريحة باستخدام جهاز حيود الأشعة السينية حيث وجد أنها من طبيعة
نوع المواد الأمورفية ومن ثم فقد تم دراسة كل من النفاذية والامتصاص الضوئى
للمادة فى منطقة الأطوال الموجبة من200 إلى 900 نانومتر. ولما كان لمادة
البزموث سيلنيوم دور كبير فى الأجهزة التصويرية لذا تم التركيز خلال الدراسة
على محاولة تحسين الخواص الضوئية لهذه المادة وذلك بدراسة تأثير تشعيع هذه
المادة بسيالات من الإلكترونات ومعرفة التغير فى التشكيل البنائى للمادة بعد
المعالجة بالتشعيع الإلكترونى وقد تم التشعيع بسيالات إلكترونية فى الهواء
الجوى وعند درجة حرارة الغرفة باستخدام معجل إلكترونى ذو طاقة 1.5 مليون
إلكترون فولت وبجرعات إشعاعية تراكمية تبدأ من3 حتى تصل إلى 12 كيلو جراى
بجرعة تزايدية
3 كيلوجراى على الترتيب مع تتبع التغيرات الحادثة فى الخواص الضوئية للمادة
والتى أظهرت اعتمادا كبيرا على الجرعة الإشعاعية.
وبناءا عليه ومن خلال دراسة النفاذية الضوئية فقد تم تعيين كل مـن معامل
الإنكسار وأيضا معامل الطاقة التذبذبية داخل العينة وكذلك معامل طاقة التشتت
الانتشارية، كما أنه عند دراسة الامتصاص الضوئى للمادة أظهرت النتائج ازدياد
طفيف فى الامتصاص مع زيادة الجرعة الإشعاعية حيث أن قيم طاقة الفجوة الضوئية
تتناقص من قيمة 1.72 إلى قيمة 1.62 إلكترون فولت مع زيادة الجرعة الإشعاعية
وتتحول المادة إلى شبه متبلورة وفى الوقت نفسه يزداد الامتداد الخلفى للنطاق
تجاه المنطقة الوسطى الفاصلة بين نطاقى التكافؤ والتوصيل من 0.153 إلى 0.330
إلكترون فولت.
