OPTICAL PROPERTIES OF In-DOPED As₂Se₃ *

AMER, H.H.

Solid State and Accelerators Department, National Centre for Radiation Research and Technology, Atomic Energy Authority, Nasr City, Cairo, Egypt.

Key words: Amorphous, Chalcogenide , Optical properties.

الخواص الضوئية لمركب الزرنيخ - سيلينيوم المطعم بالانديوم

حاتم حسن عامر

خلاصـــة

تم فى هذا البحث دراسة الخواص الضوئية للمركبAs₂Se₃  عند تطعيمه بعنصر الإنديوم بنسب صفر، 0.03 و 0.07 وتم معالجة المركبات بالتبخير الحرارى تحت ضغط 10^-5 تورر. تم تشعيع المركبات بأشعة جاما بجرعات تصل إلى 200 كيلو جراى.

أوضحت النتائج أن الفجوة الضوئية تزيد عندما تصل نسبة الإنديوم إلى 0.03  لكنها تقل عند زيادة تركيز الإنديوم إلى 0.07 .

 بالنسبة لاتساع ذيل حزمة الامتصاص فقد ثبت أنها تتبع سلوكا مختلفا عن الفجوة الضوئية حيث أنها تقل عند التطعيم بإنديوم بنسبة 0.03 كما وجد أيضا أن المركبات لم تتأثر تقريبا عند التشعيع بجاما بجرعات 200 كيلو جراى.

ABSTRACT

The composition As₂Se₃ was doped with indium (In) with ratios of As₂Se₃In_x where x = 0, 3 and 7 at. %. As₂Se₃In_x films were deposited by thermal evaporation under vacuum of 10^-5 torr. The optical properties have been examined.  The optical gap of the films was found to be a function of In content, where it has been observed that its value was decreased as In content increased. The chemical bond approach has been applied successfully to interpret the decrease of the glass optical gap with increasing indium content. The prepared films were irradiated by gamma radiation at doses up to 200 KGy.  It has been found that the compositions were almost stable against gamma radiation with doses up to 200 KGy.